पछिल्लो एक अनुसन्धानमा ‘ह्युसलर मिश्रधातु’को सहयोगमा छिटो गणना गर्ने मेमोरी निर्माणमा अनुसन्धानकर्ताहरु सफल भएको छ ।

यसका लागि वैज्ञानिकहरुले पदार्थका विभिन्न किसिमको छनोट गरे । जसबाट तत्वहरुको क्रमवद्धता रहने आवधिक तालिका ‘पेरियोडिक टेवल’मा रहेका धातुहरुबाट एक वा दुई भागः X धातु, Y धातु र Z धातुहरुको समिश्रणले ‘ह्युसलर मिश्रण’ बनाएका छन् ।

ती मिश्रधातुहरू आफैंमा चुम्बकीय गुण हुँदैन । यद्यपि, तिनिहरु एक आपसमा मिल्दा चुम्बकीय गुण देखाउँछन् ।

वेलायतका योर्क विश्वविद्यालयका अनुसन्धानकर्ता अतसुफुमी हिरोहटा भन्छिन्, ‘स्पिनट्रोनिक उपकरणहरूले ह्युसलर मिश्रधातुको प्रयोग गरी हाल प्रयोग गरिएको मेमोरी सेल र चुम्बकीय सेन्सर प्रतिस्थापन गर्न सक्छ।’ उनले ह्युसलर मिश्रधातुमा हालसालै भएका प्रमुख उपलब्धिहरूको समीक्षा प्रसिद्ध वैज्ञानिक सोध प्रकाशन गर्ने पत्रिका ‘साइन्स एण्ड टेक्नोलजी अफ एडभ्यान्स मटेरियल’मा प्रकाशन गरेकी छिन् ।

उनका अनुसार सोलिड स्टेट उपकरणहरुमा इलेक्ट्रोनको विद्युतीय चार्जको सट्टामा इलेक्ट्रोन स्पिन कसरी प्रयोग गर्ने भन्नेमा अनुसन्धान केन्द्रित गरिएको थियो ।

‘स्पिन्ट्रोनिक्स’ जसलाई ‘स्पिन इलेक्ट्रोनिक्स’ पनि भनिन्छ । यो व्यवहारिक भौतिकशास्त्रको क्षेत्र भित्र पर्दछ, जसमार्फत् इलेक्ट्रोनको विद्युतीय चार्जको सट्टामा तिनिहरुको स्पिनको अध्ययन गरिन्छ र त्यसबाट आएका सूचनालाई पछि सोलिड स्टेट उपकरण निर्माणमा प्रयोग गरिन्छ ।

स्पिनट्रोनिक उपकरणहरुका लागि ह्यूसलर मिश्रधातुको मुख्य फाइदा भनेको तिनिहरुमा भएका नविनतम विद्युतीय र चुम्बकीय गुणहरु, जसको नतिजा सिधै इलेक्ट्रोन स्पिनसँग हुनेछ । त्यो मणिको संरचनामा परिवर्तन गर्दा हुनेछ । तर त्यस कामको लागि अधिक तापक्रमको आवश्यकता पर्नेहुँदा अनुसन्धानकर्ताहरु प्रयोगात्म उपकरणमा अधिक तापक्रम घटाउन चाहन्छन् ।

वितेका केही दशकमा वैज्ञानिकहरुले मिश्रधातु समान देखिने ह्यूसलर मिश्रधातु प्रक्रियाबाट बनेका ‘फिल्म’ रिल, जुन बहुमुल्य धातु मणिको निमार्ण प्रक्रियाअनुसार निर्णमा गरेका थिए ।

कुनै मिल्दो दुई जालीका नट जस्तो देखिने ल्याटिसबाट ह्युसलर मिश्रधातु विकासमा अर्ध विद्युतीय करेन्ट वा ताप प्रवाह गरिन्छ । जहाँ पदार्थको साहायताले इलेक्न्ट्रोनलाई एउटै दिशामा स्पिन गराइन्छ । त्यसरी एकै दिशामा मिलेर बसेका स्पिनले फिल्म बन्दछ ।

हिरोहातासँगै अन्य अनुसन्धानकर्मीहरु ह्युसलर मिश्रधातुले बनेको फिल्म बनाउन ‘मेटालिक म्याग्नेटिक जङ्सन’ बनाउनु केन्द्रित छन् । किनभने, यस जङ्सनले दुईवटा चुम्मवकीय क्षेत्र ‘फेरोम्याग्नेटिक’ बीचमा एउटा पातलो विद्युत अवरोधकको रुपमा काम गर्नेछ ।

जव पर्याप्त विद्युत अवरोधकको तह हुन्छन्, इलेक्ट्रोन त्यसबेला एउटा फेरोम्याग्नेटबाट अर्को फेरोम्याग्नेटमा जाने अनुसन्धानकर्मी बताउँछन् ।

यदि त्यसबेला दुईवटा फेरोम्याग्नेटलाई समान्तर रुपमा राखियो भने इलेक्ट्रोनको वहावमा कम अवरोध हुन्छन् । तर, करेन्ट इन्ड्युस सुइचीङका कारण केही समयमा नै असमान्तर भैइदिन्छ र जङसनले उच्च अवरोधकको रुपमा काम गर्ने हिरोहाता बताउँछिन् ।

यस प्रकारका चुम्वकीय सुइच नै आधारभूत रुपमा चुम्वकीय रिकडिङ र मेमोरीका जग बन्दछ। यस अनुसन्धानपछि अनुसन्धानकर्ताहरुमा ठूला म्यागनेटो रेजिस्ट्यास (चुम्वकीय अवरोधक) भएको मेटालिक चुम्वकीय जंङसन निर्माण गर्ने आशा जागेका छन् । जसले पछिल्लो पुस्ताको मेमोरी बन्ने र कोठाको तापक्रमा रिकर्ड गर्न सहज हुने ठानिएको छ ।